Поиск аналогов электронных компонентов
ZXMN3A06DN8TA

ZXMN3A06DN8TA

ПроизводитсяFET, MOSFET Arrays

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.9A
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Power - Max1.8W
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SO
Другое
Base Product NumberZXMN3
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds796pF @ 25V
MfrDiodes Incorporated
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 9A, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)

Изображения

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.