Fujitsu Semiconductor Memory Solution
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| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Memory | 256-Kbit(32K × 8bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V | Даташит3 | ||||
| Memory | MB85RS4MTYPF-G-BCERE1 | |||||
| Memory | MB85RC16VPNF-G-AMERE2 | Даташит2 | ||||
| Memory | 采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺的SPI接口非易失性FRAM芯片，无需备用电池，读写耐久性高，低功耗 | |||||
| Memory | 采用铁电和硅栅CMOS工艺的SPI接口FRAM芯片，无需备用电池即可保存数据，读写次数多、写入周期短 | |||||
| Memory | MB85RS4MTYPF G BCE1 | Даташит3 | ||||
| Memory | 采用铁电和硅栅CMOS工艺的铁电随机存取存储器，支持SPI接口，读写耐久性高 | Даташит2 | ||||
| Memory | FeRAM是一种采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元的芯片，配置为131,072字 × 8位。与SRAM不同，它无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少10¹³次循环，显著优于其他非易失性存储产品。写入内存后不需要像闪存或E²PROM那样的轮询序列。 | |||||
| Memory | MB85RS64VYPNF-GS-BCERE1 | Даташит1 | ||||
| Memory | MB85RS2MTYPNF-GS-AWERE2 | |||||
| Memory | MB85RS128TYPNF-G-BCERE1 | Даташит3 | ||||
| Memory | 替代 MB85RC256VPNF-G-JNERE1 C47538 | Даташит1 | ||||
| Memory | MB85RC16PNF-G-AMERE2 | Даташит1 | ||||
| Memory | MB85RS4MTPF-G-JNERE2 | Даташит3 | ||||
| Memory | Даташит3 | |||||
| Memory | Даташит3 | |||||
| Memory | 2M（256K × 8bit） SPI接口 1.8V ~ 3.6V | Даташит3 | ||||
| Memory | 256-Kbit(32K × 8bit)，I2C接口，工作电压：2.7V to 5.5V | Даташит3 | ||||
| Memory | Даташит3 | |||||
| Memory | Даташит3 |