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Партномер	Категория	Описание	Документы
CM1102B-MAD	Battery Management
CM1101B-WDF	Battery Management
CM1041-HS/HT	Battery Management
CM1112-MAE	Battery Management		Даташит1
CMD5N50VFD	Single FETs, MOSFETs	采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS，产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线，在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡，提高系统效率、降低发热量，简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点，特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。	Даташит1
CMD5N25VFD	Single FETs, MOSFETs	采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS，产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线，在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡，提高系统效率、降低发热量，简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点，特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。
CMD5N50VFDB	Single FETs, MOSFETs	采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS，产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线，在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡，提高系统效率、降低发热量，简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点，特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。	Даташит1
CMD5N50VFDC	Single FETs, MOSFETs	采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS，产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线，在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡，提高系统效率、降低发热量，简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点，特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。	Даташит1
CMD5N50VFDD	Single FETs, MOSFETs	采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS，产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线，在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡，提高系统效率、降低发热量，简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点，特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。
CMD65R1500D	Single FETs, MOSFETs	采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS，产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线，在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡，提高系统效率、降低发热量，简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点，特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。
CMD65R1100D	Single FETs, MOSFETs	采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS，产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线，在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡，提高系统效率、降低发热量，简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点，特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。
CMD65R800D	Single FETs, MOSFETs	采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS，产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线，在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡，提高系统效率、降低发热量，简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点，特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。
CMD65R550D	Single FETs, MOSFETs	采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS，产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线，在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡，提高系统效率、降低发热量，简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点，特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。
CMW65R120DFD	Single FETs, MOSFETs	采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS，产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线，在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡，提高系统效率、降低发热量，简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点，特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。	Даташит1
CMP65R120DFD	Single FETs, MOSFETs	采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS，产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线，在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡，提高系统效率、降低发热量，简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点，特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。
CMB60R110DFD	Single FETs, MOSFETs	采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS，产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线，在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡，提高系统效率、降低发热量，简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点，特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。
CMP60R110DFD	Single FETs, MOSFETs	采用多层外延制造工艺和独特结构设计的超结MOS，产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线，在低开关损耗的同时也抑制了开关震荡，提高系统效率、降低发热量，简化系统的EMC设计。基于其高效率、低温升的特点，特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩、车载电源系统等系统应用。	Даташит1
CMS010H20T	Single FETs, MOSFETs	iCM专注于高能效功率半导体器件的创新设计，开发了一系列中低压MOSFET产品，广泛应用于无刷电机、各类电源、锂电保护、绿色照明、充电桩等领域。系列产品具有低FOM值，一致性好，性价比高等优势。	Даташит1
CMS040H15T	Single FETs, MOSFETs	iCM专注于高能效功率半导体器件的创新设计，开发了一系列中低压MOSFET产品，广泛应用于无刷电机、各类电源、锂电保护、绿色照明、充电桩等领域。系列产品具有低FOM值，一致性好，性价比高等优势。	Даташит1
CMS045H15G	Single FETs, MOSFETs	iCM专注于高能效功率半导体器件的创新设计，开发了一系列中低压MOSFET产品，广泛应用于无刷电机、各类电源、锂电保护、绿色照明、充电桩等领域。系列产品具有低FOM值，一致性好，性价比高等优势。	Даташит1