Результаты поиска:MLD1N06CLT4G
Найдено: 4- С даташитом2
- Производителей3
Результаты поискаВсего: 4
| Сравнить | Партномер | Производитель | Категория | Описание | Документы | Аналоги |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Transistors - Special Purpose | IC MOSFET POWER N-CH 1A 65V DPAK | |||||
| Single FETs, MOSFETs | IC MOSFET POWER N-CH 1A 65V DPAK | |||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V； | Даташит1 | ||||
| Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 广泛应用于电池管理系统、电源转换及各类高效能电子设备中，实现卓越的功率控制与能效管理。 | Даташит7 |
Не нашли нужный компонент?
ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.