Поиск аналогов электронных компонентов

Результаты поиска:MRF151

Найдено: 18
  • С даташитом15
  • Производителей5

Результаты поискаВсего: 18

СравнитьПартномерПроизводительКатегорияОписаниеДокументыАналоги
Transistors - FETs, MOSFETs - RF

FET RF N-CH 150W 50V 175MHZ

Даташит7
RF Amplifiers

Designed for broadband commercial and military applications at frequencies to 175 MHz. The high power, high gain and broadband performance of this device makes possible solid state transmitters for FM broadcast or TV channel frequency bands.

Single Bipolar Transistors

MRF Series【MA-COM】 射频功率器件,VDMOS,对应华高型号 HG151,输出功率 150W,工作频率 175M,工作电压 50V,封装 CASE211-11

Даташит1
Transistors - FETs, MOSFETs - RF

FET RF N-CH 50V 150W P-244

Даташит1
RF FETs, MOSFETs

RF MOSFET 50V 375-04

Даташит7
Transistors - FETs, MOSFETs - RF

FET RF 2CH 125V 175MHZ 375-04

Даташит1
Transistors - FETs, MOSFETs - RF

FET RF 40V 175MHZ PLD-1.5

Transistors - FETs, MOSFETs - RF

FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5

Даташит2
RF FETs, MOSFETs

RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5

Даташит2
Transistors - FETs, MOSFETs - RF

FET RF 25V 520MHZ PLD-1.5

Даташит2
Transistors - FETs, MOSFETs - RF

FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5

Даташит2
RF FETs, MOSFETs

RF MOSFET 50V P-244

Даташит8
RF Amplifiers

RF Power Field-Effect Transistor 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET

Даташит7
Single Bipolar Transistors

MRF Series【MA-COM】 射频功率器件,VDMOS,对应华高型号 HG151G,输出功率 300W,工作频率 175M,工作电压 50V,封装 SOT262

Даташит1
RF Amplifiers

RF Power MOSFET Transistor 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET

Даташит7
Transistors - FETs, MOSFETs - RF

RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-

Даташит1
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Даташит1
Transistors - FETs, MOSFETs - RF

RF VERY HIGH FREQUENCY BAND, N-C

Не нашли нужный компонент?

ИИ поищет его в интернете, а найденный партномер будет добавлен в базу. Или сообщите нам напрямую.