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P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET

P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET

这款P型场效应管拥有5A的电流承载能力，最高20V的工作电压，以及30mΩ的典型内阻。其VGS为12V，适用于多种电子设备中，能够有效控制电流的流通与切断，确保电路的稳定运行。因其出色的性能和稳定性，广泛应用于各类电子系统中。(SI2333DS-T1-E3)

MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

这款P型场效应管拥有5A的电流承载能力，最高20V的工作电压，以及30mΩ的典型内阻。其VGS为12V，适用于多种电子设备中，能够有效控制电流的流通与切断，确保电路的稳定运行。因其出色的性能和稳定性，广泛应用于各类电子系统中。

MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

适用于一般开关和低压电源电路、电流能力强、导通电阻低。

台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-20V；-5A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=4.5V,VGS=8V；Vth=-0.45~-1V；是一款单P通道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于各种低压、小功率的电源管理、开关控制、信号放大和电路保护等领域。

P-Channel MOSFET

台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种电源和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；

适用于各类中低电压、高效率开关应用。卓越的导通性能与低RDS(ON)，使之成为充电器、LED驱动、DC/DC转换等领域的理想选择。