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MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/4.1A 8SO

MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/5.4A 8SO

MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 0

SOP8；N+P—Channel沟道,±30V；8/-8A；RDS(ON)=18/32mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±2V；

适合电池管理系统、AC/DC转换及各类消费电子产品。集成双极性通道，提供优越的开关特性和低导通电阻，确保在正负电压下稳定工作，提升系统效能与节能表现。

本产品为N+P沟道场效应管（MOSFET），具备7A连续漏极电流（ID）和30V漏源击穿电压（VDSS），适用于中功率电源转换与管理应用。导通电阻（RDON）低至25mΩ，有效降低导通损耗，提升系统效率。采用N沟道与P沟道组合结构，兼顾开关速度与稳定性，适合用于电源适配器、充电设备、DC-DC转换模块以及各类便携式电子产品中的功率控制电路。