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MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC

MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO

MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC

MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO

这款N+N型场效应管，具有6.5A的电流承载能力和60V的电压耐受性。其内阻典型值为32mΩ，确保了较低的功耗。VGS为20V，适用于大多数应用需求。该元器件设计精良，性能稳定可靠，可广泛应用于各类电子系统中，为您的设备提供稳定的电流控制和高效的电源管理。

这款N+N型场效应管，具有6.5A的电流承载能力和60V的电压耐受性。其内阻典型值为32mΩ，确保了较低的功耗。VGS为20V，适用于大多数应用需求。该元器件设计精良，性能稳定可靠，可广泛应用于各类电子系统中，为您的设备提供稳定的电流控制和高效的电源管理。(ZXMN6A11DN8TA)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；