2N7002T 国产替代 型号

原型号

HX

HXY MOSFET(华轩阳电子)2N7002T

导通电阻(RDS(on))3Ω@10V,0.115A数量1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)115mA