HRUM002N02T2L
晶体管 - FET，MOSFET - 单这款N沟道MOSFET，设计精巧，耐压高达20V，可承载1.2A电流，展现优异功率管理。内阻最大仅260mΩ，保证低能耗高效率，是追求精细控制与稳定输出的电子设计中，不可或缺的高性能元件。
沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流1.2 A
导通电阻150 mΩ
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沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流1.2 A
导通电阻150 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4.5V,1.2A |
| 数量 | 1个N沟道 |