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MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC

SOP-8 MOSFETS ROHS

MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC

P沟道，-40V，-11A，13mΩ@-10V,-10A，-1.6V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

适用于电源开关和信号控制

广泛应用于电池管理系统、电源转换及各类高效能电子设备中，实现卓越的功率控制与能效管理。

这款场效应管具有13A的电流承载能力，最大可承受40V电压。其内阻典型值为14mΩ，适用于低内阻要求的场景。VGS为20V，P型场效应管适合在多种应用中使用。该元器件设计精良，适用于信号放大及电源管理等多种领域。

MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC

MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC

MOSFET P-CH 40V 10A 8SO

MOSFET P-CH 40V 10A 8SO

此款消费级P沟道MOSFET采用紧凑SOP-8封装，额定电压40V，具备13A强大连续电流处理能力。专为高功率应用设计，具有低导通电阻和优异开关性能，广泛应用于电池管理系统、电源转换及各类高效能电子设备中，实现卓越的功率控制与能效管理。

类型: P沟道 漏源电压(Vdss): 40V 连续漏极电流(Id): 13A

SOP8；P—Channel沟道,-40V；-16.1A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.2~-2.5V；

P-Channel MOSFET