搜索结果:DMP2305UQ

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静电和浪涌保护(TVS/ESD)

NRND = Not Recommended for New Design

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3

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单 FET,MOSFET

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

台积电流片,长电科技封装;是一种单路P沟道场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于各种不同的领域和模块,例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23;P—Channel沟道,-30V;-5.6A;RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-0.5~-2V;

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晶体管 - FET,MOSFET - 单

适用于电池保护、负载开关等应用,拥有低导通电阻和快速切换特性,为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。

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