搜索结果：P9006EVG
共 3 条- 匹配型号3
- 有数据手册3
- 涉及品牌3
产品搜索结果共 3 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | P沟道 -60V -4.5A | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | VDSS:60V;ID:4A;RDS(ON)98mΩ. | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型MOSFET器件，采用Trench工艺制造，适用于各种电子设备和系统中。SOP8；P—Channel沟道,-60V；-8A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V； | 数据手册1 | 查看详情 |
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