搜索结果：TK110N65Z,S1F
共 2 条- 匹配型号2
- 有数据手册2
- 涉及品牌2
产品搜索结果共 2 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247(O | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 单 FET，MOSFET | 【联系：sales@hxymos.com】该N沟道碳化硅MOSFET具有32A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为94mΩ，在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热管理要求较高的电力转换场景。其低RDS(ON)有助于减小导通功耗，提升系统整体能效，同时宽VGS耐压范围增强了驱动兼容性与可靠性。 | 数据手册1 | 查看详情 |
第 1–2 条，共 2 条
没找到想要的型号？
让 AI 帮你联网查找，或者直接告诉客服。
申请芯片样品
填写型号和样品需求，供样安排确认后会联系你。