搜索结果:ZXMP6A18K
共 7 条- 匹配型号7
- 有数据手册5
- 涉及品牌2
产品搜索结果共 7 条
| 对比 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 产品描述 | 技术资料 | 替代 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 单 FET,MOSFET | 数据手册1 | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOSFET P-CH 60V 6.8A TO252-3 | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 单 FET,MOSFET | MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R | 查看详情 | |||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R | 查看详情 | |||||
| 单 FET,MOSFET | MOSFET P-CH 60V 6.8A TO252-3 | 数据手册2 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 台积电流片,长电科技封装;是一款高性能单P型场效应晶体管,采用Trench技术制造,具有良好的导通特性和稳定性以及散热性能和安装方便性,适用于各种功率电路设计。TO252;P—Channel沟道,-60V;-35A;RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V; | 数据手册1 | 查看详情 | ||||
| 晶体管 - FET,MOSFET - 单 | 台积电流片,长电科技封装;TO252;P—Channel沟道;-60V;-35A;RDS(ON)=46(mΩ);VGS=±20V;Vth=-1.7V;采用Trench技术; | 数据手册1 | 查看详情 |
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