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MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO

MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

IC MOSFET DUAL N-CH 60V 7A SOP-8

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

2个N沟道，5A，30mΩ@10V,5A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

高效能N+N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，适用于60V电压环境，具备6.5A强劲连续电流处理能力。特别适合于消费级电子产品中的电源转换、负载开关及逆变器应用，其出色的低导通电阻与高速切换性能，确保系统稳定运作并优化能源效率。