Results forIRLML6302

IC MOSFET P-CH 20V SOT-23

IC MOSFET P-CH 20V SOT-23

MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23

MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23

MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23

IRLML6302GPBF is a P-channel power MOSFETs with VDS max: -20 V, RDS (on) max: 600 mOhm, Package: SOT-23, Technology: IR MOSFET™, Polarity: P

MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23

MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23-3

这款IRLML6302PbF MOS管采用先进的P沟道技术，封装为小巧耐用的SOT-23形式。其拥有卓越的电气性能，工作电压高达20V，连续电流可达2.3A，低至95mΩ的导通电阻确保了高效的能源转换与传输。适用于各类电源管理、电机驱动等应用场景，是您设计电路的理想选择，兼具高性能与可靠性。

IRLML6302TRPBF-1 is a P-channel power MOSFETs with VDS max: -20 V, RDS (on) max: 600 mOhm, Package: SOT-23, Technology: IR MOSFET™, Polarity: P

台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种电源和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；

适用于各类中低电压、高效率开关应用。卓越的导通性能与低RDS(ON)，使之成为充电器、LED驱动、DC/DC转换等领域的理想选择。