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- MMBT5401W
Bipolar Transistors - Unspecified Type
- MMBT5401W
Bipolar Transistors - Unspecified Type
- MMBT5401W
Bipolar Transistors - Unspecified Type
- MMBT5401W
Single Bipolar Transistors
双极型晶体管 MMBT5401W
MMBT5401W — SALLTECH 三极管
- MMBT5401W
Single Bipolar Transistors
Small Signal Transistor
- MMBT5401W
Single Bipolar Transistors
普通三极管
- MMBT5401WT1G
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TRANS PNP 150V 0.5A SC70-3
- MMBT5401WG
Single Bipolar Transistors
MMBT5401WG — 山东晶导微 三极管
MMBT5401WH — 山东晶导微 三极管
- MMBT5401WN
Single Bipolar Transistors
MMBT5401WN — 山东晶导微 三极管
- MMBT5401WG-H
Single Bipolar Transistors
MMBT5401WG-H — 山东晶导微 三极管
- MMBT5401WG-L
Single Bipolar Transistors
MMBT5401WG-L — 山东晶导微 三极管
- MMBT5401WT1G
Single Bipolar Transistors
TRANS PNP 150V 0.5A SC70-3
- MMBT5401WT1G-HXY
Bipolar Transistors - Unspecified Type
此款PNP型三极管（BJT）具备0.6A的集电极电流(IC)能力，适用于需要中等电流驱动的应用场景。其集电极-发射极间的最大电压(VCEO)为150V，确保在高压工作环境下的稳定运行。直流电流增益(HFE)范围在100至300之间，提供了有效的电流放大功能。特征频率(FT)达到100MHz，保证了高速开关与信号处理的能力。该三极管适合用于构建可靠的放大器电路和信号处理系统，特别适用于对稳定性和速度有较高要求的电子设备中。
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