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DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC

【联系：sales@hxymos.com】该碳化硅二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1.5V，在导通状态下能有效控制功耗；反向漏电流（IR）低至60μA，体现出优异的阻断特性。器件可承受高达90A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率与可靠性要求较高的电源转换场合。凭借碳化硅材料的固有优势，该二极管在高频、高温运行环境中仍能保持稳定性能。

DIODE SIC 650V 10A TO220ACFP

DIODE SIC 650V 10A TO220ACFP

该碳化硅二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，反向重复电压（VR）达650V，适用于中高功率电力转换应用。其正向导通压降（VF）为1.38V，在高电流工作条件下仍可保持较低的导通损耗。基于碳化硅材料，该器件具备优异的高温工作性能和极快的开关速度，反向恢复电荷小，有助于减少系统开关损耗并提升转换效率。典型应用包括高效AC-DC与DC-DC电源模块、可再生能源发电中的逆变电路、高密度电源适配器以及对热管理要求较高的封闭式电子设备中的整流单元。

该碳化硅二极管为独立式单管结构，额定平均正向整流电流为10A，反向重复峰值电压达650V，正向导通压降为1.38V，具备较低的导通损耗。得益于碳化硅材料的高耐热性与高击穿电场特性，该器件可在较高结温下稳定运行，并具有优异的反向恢复特性，显著减少开关过程中的能量损耗。适用于高效率功率转换电路，如大功率开关电源、不间断电源、储能系统及高压直流变换模块，有助于提升系统整体能效与功率密度。