Results forSI2312BDS-T1-BE3

该N沟道场效应管最大漏极电流为4.5A，漏源击穿电压20V，导通电阻23mΩ，栅源电压额定值12V。器件在20V电压范围内具备低导通损耗特性，适用于笔记本电脑电源管理、电池保护电路及便携式设备负载开关。其参数设计有助于优化系统能效，适合对空间和热性能有严格要求的消费类电子应用。