Results forSI2312BDS-T1-E3

台积电流片，长电科技封装；SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。

Si2312BDS-T1-E3 是一款高性能N沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装，专为高效能、低功耗电路设计。该器件提供20V的最大漏源电压(VDSS)，可稳定承载3A的漏极电流(ID)，并具备出色的23mΩ导通电阻(RD(on))，确保了良好的能源转换效率。广泛应用于电源管理、负载开关、电池管理系统等场景，是构建小型化、节能型电子设备的优秀半导体组件。