Results forSSF2341E

【联系：sales@hxymos.com】该P沟道场效应管最大漏极电流为5A，漏源击穿电压20V，导通电阻典型值35mΩ。器件适用于低压电源管理、电池保护及负载开关电路。其适中的导通阻抗有助于平衡导通损耗与成本，适合便携式设备、消费电子及紧凑型电源模块中的功率控制应用，满足对空间布局和热性能有要求的设计需求。

台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于多种电源和功率控制应用，包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；

适用于电池保护、负载开关及电源管理等领域。其优越的导通电阻和快速切换性能确保了在低压电路中的出色能效与稳定性。