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MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

台积电流片，长电科技封装；是一款双路N+N沟道MOSFET，采用Trench工艺，可广泛应用于各种电子设备的功率开关和控制模块。SOP8；2个N—Channel沟道,30V；13.5A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；

本场效应管（MOSFET）采用N+N沟道结构，支持双向导通与高效开关操作。其最大漏极电流ID为8.5A，漏源击穿电压VDSS为30V，适用于中低功率电源系统。17mΩ的超低导通电阻（RDON）显著减少导通损耗，提高整体效率。该器件可广泛应用于便携式电源管理、DC-DC转换电路、电池保护模块及高密度电子设备中，提供稳定可靠的电力控制性能，满足对效率与尺寸双重要求的应用场景。