Отчёт о замене

G1008B аналоги из Китая и другие замены

Исходный

GO

Goford SemiconductorG1008B

导通电阻(RDS(on))102mΩ@10V,2AКоличество1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)8A