BORN(伯恩半导体)Китай
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Полный отчётТехнические параметры
| Ipp @10/1000us （A） | 125.6 |
| IR (µA) | 200 |
| IT （mA） | 10 |
| PartNumber （Bi） | 1.5KE8.2CA |
| Part Number （Uni） | 1.5KE8.2A |
| PPP @10/1000us (W) | 1500 |
| VBR @IT Max.(V) | 8.61 |
| VBR @IT Min.(V) | 7.79 |
| VC@Ipp （V） | 12.1 |
| VRWM (V) | 7.02 |