DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 1. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение600 V
Средний выпрямленный ток35 A
Прямое падение напряжения1.2 VМакс. · 35 A
ТипStandardStandard Recovery >500ns，> 200mA (Io)
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 35A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 50 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2 V @ 35 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Chassis, Stud Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 190°C |
| Package | Bulk |
| Package / Case | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Supplier Device Package | DO-5 |
| Другое | |
| Base Product Number | 1N1190R |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Mfr | GeneSiC Semiconductor |
| Product Status | Active |
| Series | - |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Technology | Standard, Reverse Polarity |