Поиск аналогов электронных компонентов
1N4006G
Taiwan Semiconductor CorporationТайвань, Китай

1N4006G

ПроизводитсяSingle Diodes

DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Обратное напряжение800 V
Средний выпрямленный ток1 A
Прямое падение напряжения1 VМакс. · 1 A
ТипStandardStandard Recovery >500ns,> 200mA (Io)
Питание
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 800 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1 V @ 1 A
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseDO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device PackageDO-204AL (DO-41)
Другое
Base Product Number1N4006
Capacitance @ Vr, F10pF @ 4V, 1MHz
MfrTaiwan Semiconductor Corporation
Product StatusActive
Series-
SpeedStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
TechnologyStandard

Изображения

Документы