BORN(伯恩半导体)Китай

1SMB5919B

ПроизводитсяSwitching Diodes

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

IZT(mA)	66.9
P.D.(W)	3
VZ (Max.)@IZT (V)	5.88
VZ (Min.)@IZT (V)	5.32
VZ (Nom.)@IZT (V)	5.6

Документы

DatasheetDatasheet · 656.2 KB · 2026-09-23

Центр документации