Поиск аналогов электронных компонентов

2N3752

ПроизводитсяTransistors - Bipolar (BJT) - SingleTO-111

TRANS 80V 5A TO111

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Напряжение коллектор-эмиттер80 V
Ток коллектора5 AМакс.
Коэффициент усиления hFE1001A
Мощность30 WМакс.
Питание
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)5 A
Power - Max30 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)80 V
Характеристики по постоянному и переменному току
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition50MHz
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeStud Mount
Operating Temperature-
PackageBulk
Package / CaseTO-111-4, Stud
Supplier Device PackageTO-111
Другое
MfrGeneral Semiconductor
Product StatusActive
Series-
Transistor Type-
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 50mA, 1A

Документы