Поиск аналогов электронных компонентов
2N5116UB/TR

2N5116UB/TR

ПроизводитсяTransistors - JFETs

JFET

Спросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)25 mA @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Power - Max500 mW
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)30 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id4 V @ 1 nA
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-65°C~200°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / Case3-SMD, No Lead
Supplier Device PackageUB
Другое
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds27pF @ 15V
MfrMicrochip Technology
Product StatusActive
Resistance - RDS(On)175 Ohms
SeriesMilitary, MIL-PRF-19500

Изображения

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.