POWER BJT
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
ТипNPN
Напряжение коллектор-эмиттер60 V
Ток коллектора20 AМакс.
Коэффициент усиления hFE75010A
Мощность160 WМакс.
| Питание | |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Power - Max | 160 W |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 10A, 3V |
| Frequency - Transition | - |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C~200°C(TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | Die |
| Supplier Device Package | Die |
| Другое | |
| Mfr | Microchip Technology |
| Product Status | Active |
| Series | - |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 200mA, 20A |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.