Taiwan Semiconductor CorporationТайвань, Китай
DIODE GEN PURP 50V 6A R-6
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 2. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение50 V
Средний выпрямленный ток6 A
Прямое падение напряжения1.1 VМакс. · 6 A
ТипStandardStandard Recovery >500ns，> 200mA (Io)
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 6A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 50 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 50 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 6 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | R-6, Axial |
| Supplier Device Package | R-6 |
| Другое | |
| Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
| Mfr | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Product Status | Active |
| Series | - |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Technology | Standard |