HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

【联系：sales@hxymos.com】该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为8A，最大反向重复峰值电压（VR）为650V，典型正向压降（VF）为1.38V，并能承受高达88A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关条件下仍保持较低的导通损耗和快速恢复性能，适用于高效率电源转换、开关电源及类似对体积、热性能和能效有较高要求的应用场合。