HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

【联系：sales@hxymos.com】该碳化硅二极管为独立式配置，具有8A的额定正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）典型值为1.38V，在瞬态条件下可承受高达88A的非重复浪涌正向电流（IFSM）。其基于碳化硅材料的特性，展现出较低的导通损耗与优异的高频开关能力，适用于高效率电源、开关模式电源转换器及对热稳定性要求较高的电力电子场合。