ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDТайвань, Китай
AD10N10S
Single FETs, MOSFETsВсе аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 45, из них китайских: 22. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
| Питание | |
|---|---|
| Id-额定电流 | 10A |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| Ron-最大导通阻抗 | 140mΩ |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| 封装类型1 | TO252 |
| Другое | |
| Pd-最大功率耗散 | 30W |
| Qg-栅极电荷 | NnC |
| Vdss-漏源耐压 | 100V |
| 引脚数量1 | 3 |
| 集成ESD保护二极管 | 0 |
| 集成整流二极管 | 0 |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.