Поиск аналогов электронных компонентов
Figure 2. 8-Lead SOIC (R Suffi…
Источник: Даташит, с. 1

AD8551ARZ

ПроизводитсяInstrumentation, OP Amps, Buffer Amps8-Lead SOIC_N

IC OPAMP ZERO-DRIFT 1 CIRC 8SOIC

AD8551ARZ — одноканальный прецизионный операционный усилитель с нулевым дрейфом в корпусе SOIC_N на 8 выводов, диапазон температур -40°C…+125°C, питание от 2,7 В до 5 В, вход и выход rail-to-rail.Проверено по даташиту

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 2. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

Напряжение питания2.7 ~ 5 V
Произведение усиления на полосу1.5 MHzТип.
Напряжение смещения нуля1 µVТип. · Max 5 μV (VS = 5 V,VCM = 2.5 V,VO = 2.5 V,TA = 25°C),Max 10 μV (-40°C ≤ TA ≤ +125°C)
Ток покоя850 µAТип. · Max 975 μA (VO = 0 V,TA = 25°C),Max 1075 μA (-40°C ≤ TA ≤ +125°C)
Число каналов1

Параметры, сверенные с даташитом

Пунктов: 25
ПараметрЗначение и условия измеренияИсточник
Диапазон напряжения питания2.7 V to 5 V (Single-supply operation)
Произведение коэффициента усиления на полосу пропусканияTyp 1.5 MHz
Входное смещающее напряжениеTyp 1 μV, Max 5 μV (VS = 5 V, VCM = 2.5 V, VO = 2.5 V, TA = 25°C); Max 10 μV (-40°C ≤ TA ≤ +125°C)
Ток потребления на усилительTyp 850 μA, Max 975 μA (VO = 0 V, TA = 25°C); Typ 1000 μA, Max 1075 μA (-40°C ≤ TA ≤ +125°C)
Количество каналов1 (Single amplifier)
Корпус8-Lead SOIC_N (R-8)
Диапазон рабочих температур-40°C to +125°C
КлассIndustrial/Automotive (Extended industrial/automotive temperature range)
Соответствие RoHSYes (Z = RoHS Compliant Part)
Входной ток смещенияTyp 10 pA, Max 50 pA (TA = 25°C); Typ 1.0 nA, Max 1.5 nA (-40°C ≤ TA ≤ +125°C)
Коэффициент подавления общей модыMin 120 dB, Typ 140 dB (VCM = 0 V to +5 V, TA = 25°C); Min 115 dB, Typ 130 dB (-40°C ≤ TA ≤ +125°C)
Коэффициент подавления питанияMin 120 dB, Typ 130 dB (VS = 2.7 V to 5.5 V, TA = 25°C); Min 115 dB, Typ 130 dB (-40°C ≤ TA ≤ +125°C)
Скорость нарастанияTyp 0.4 V/μs (RL = 10 kΩ)
Выходное напряжение высокого уровняMin 4.99 V, Typ 4.998 V (RL = 100 kΩ to GND, TA = 25°C)
Выходное напряжение низкого уровняTyp 1 mV, Max 10 mV (RL = 100 kΩ to V+, TA = 25°C)
Выходной токTyp ±30 mA (TA = 25°C); Typ ±15 mA (-40°C to +125°C)
Дрейф напряжения смещенияTyp 0.005 μV/°C, Max 0.04 μV/°C (-40°C ≤ TA ≤ +125°C)
Плотность напряжения шумаTyp 42 nV/√Hz (f = 1 kHz)
Абсолютные максимальные значения - Напряжение питания6 V
Абсолютные максимальные значения - Входное напряжениеGND -0.3 V to VS + 0.3 V
Абсолютные максимальные значения - Дифференциальное входное напряжение±5.0 V
Диапазон температур хранения-65°C to +150°C
Диапазон температур перехода-65°C to +150°C
Тепловое сопротивление - переход к окружающей среде158 °C/W (8-Lead SOIC (R))
Тепловое сопротивление - переход к корпусу43 °C/W (8-Lead SOIC (R))
Все параметры (20)РазвернутьСвернуть
Питание
Current - Input Bias10 pA
Current - Output / Channel30 mA
Current - Supply850µA
Voltage - Supply Span (Max)5.5 V
Voltage - Supply Span (Min)2.7 V
Характеристики по постоянному и переменному току
Gain Bandwidth Product1.5 MHz
Slew Rate0.4V/µs
Voltage - Input Offset1 µV
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-40°C ~ 125°C
PackageTube
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOIC
Другое
Amplifier TypeZero-Drift
Base Product NumberAD8551
MfrAnalog Devices Inc.
Number of Circuits1
Output TypeRail-to-Rail
Product StatusActive
Series-

Распиновка и корпус

Figure 2. 8-Lead SOIC (R Suffi…
Figure 2. 8-Lead SOIC (R Suffi…
Корпус: 8-Lead SOIC_N (R-8)
ВыводНазваниеНазначениеИсточник
1NC(Не подключать)
2-IN A (Инвертирующий вход A)
3+IN A (Неинвертирующий вход A)
4V-(Отрицательное питание)
5NC(Не подключать)
6OUTA (Выход A)
7V+(Положительное питание)
8NC(Не подключать)

Изображения

Документы

Данные, сверенные с даташитом, извлечены AI из документации производителя. Нажмите на номер страницы, чтобы открыть оригинал.