IDCHIP(英锐芯)Китай
N沟道增强型MOSFET,电流:5.8A,耐压:30V
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока5.8 A
Сопротивление в открытом состоянии59 mΩМакс. · 2.5V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 59mΩ@2.5V |
| 数量 | 1个N沟道 |