JSMSEMI(杰盛微)Китай
AP2301GN-HF-JSM
Transistors - FETs, MOSFETs - Single便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока4.2 A
Сопротивление в открытом состоянии110 mΩМакс. · 1.5V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@1.5V,1.0A |
| 数量 | 1个P沟道 |
Документы
DatasheetDatasheet · 2.0 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 2.0 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 1.6 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 622.4 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 413.5 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 371.1 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 225.2 KB · 2026-09-21
Центр документации