HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

该肖特基二极管额定正向电流（IF）为0.2A，反向重复耐压（VR）达70V，适用于低电流、中等电压的电路环境。其正向导通压降（VF）为1.25V，在小电流工况下具备良好的整流效率。反向漏电流（IR）典型值为2.5μA，表明其在关断状态下具有较高的阻断能力与稳定性。该器件常用于便携式电子设备中的电源管理电路、电池充电模块、电压检测电路以及高频整流与防反接保护场合，适合对空间布局和功耗表现有要求的应用场景。