FUXINSEMI(富芯森美)Китай
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):500mA 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V 特征频率(fT):80MHz 工作温度:-55~+150℃@(Tj)
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
ТипPNP
Напряжение коллектор-эмиттер45 V
Ток коллектора500 mAМакс.
Мощность200 mWМакс.
| Питание | |
|---|---|
| 集射极击穿电压(Vceo) | 45V |
| 集电极电流(Ic) | 500mA |
| Другое | |
| 晶体管类型 | PNP |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |