TDD(台冠电子)Китай

三极管配置：独立双管封装；晶体管类型 NPN；2 个独立 NPN；单管直流电流增益 (hFE) 200~450；集电极截止电流 (Icbo) 100nA；集射极饱和电压 (VCE (sat)) 300mV；集射极击穿电压 (Vceo) 65V；射基极击穿电压 (VEBO) 6V；特征频率 (fT) 100MHz；单管集电极电流 (IC) 120mA；单管耗散功率 (Pd) 200mW；工作结温范围 - 55℃~+150℃