Поиск аналогов электронных компонентов

BC847BDW1T1G

ПроизводитсяSingle Bipolar TransistorsSOT-363

三极管 · 开关三极管

Спросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

ТипNPN
Питание
射基极击穿电压 Vebo (V)6V
集射极击穿电压 Vceo (V)45V
集射极饱和电压 VCE(sat) (V)0.6V@100mA,5mA
集电极截止电流 Icbo (A)15nA
集电极电流 Ic (A)100mA
Характеристики по постоянному и переменному току
特征频率 fT (MHz)200MHz
直流电流增益 hFE200
Условия эксплуатации и корпус
封装SOT-363
工作温度 Tj (℃)-55℃~+150℃
Другое
晶体管类型NPN
耗散功率 Pd (W)200mW

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.