Поиск аналогов электронных компонентов
BC858C
Infineon TechnologiesГермания

BC858C

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
Ic-最大集电极电流0.1A
IC-最大集电极电流0.1A
VCBO-CB结击穿电压30V
VCBO-集基级击穿电压30V
VCEO-CE结击穿电压30V
VCEO-集射级击穿电压30V
VEBO-EB结击穿电压6V
VEBO-射基级击穿电压6V
Характеристики по постоянному и переменному току
fT-变换频率100MHZ
hFE-最小直流增益420
Hfe-最小直流增益420
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1SOT23
最大工作温度150℃
Другое
Pd-功率耗散0.31W
Pd-最大功率耗散0.225W
VCE(sat)-CE结饱和压降0.65V
VCE(sat)-集射级饱和压降0.65V
引脚数量13

Изображения

Документы