Поиск аналогов электронных компонентов
BCW30LT1G
onsemiСША

BCW30LT1G

ПроизводитсяSingle Bipolar TransistorsSOT-23-3

TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

ТипPNP
Напряжение коллектор-эмиттер32 V
Ток коллектора100 mAМакс.
Коэффициент усиления hFE2152mA
Мощность300 mWМакс.
Питание
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)100 mA
Power - Max300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)32 V
Характеристики по постоянному и переменному току
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce215 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition-
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-65°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackageSOT-23-3 (TO-236)
Другое
Base Product NumberBCW30
Mfronsemi
Product StatusActive
Series-
Transistor TypePNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA

Изображения

Документы