HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
这款NPN型三极管(BJT)具备0.1A的集电极电流IC,适用于低功率电子设备。其VCEO为45V,确保在大多数常规应用中提供足够的电压耐受能力。直流电流增益HFE范围在110到220之间,能够有效放大信号而不失真。此外,它拥有100MHz的过渡频率FT,使得它非常适合需要高速开关操作的应用场景。此三极管凭借其稳定的性能参数,成为诸如消费电子产品等领域的理想选择,支持复杂而多样的电路设计需求。
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение коллектор-эмиттер45 V
Ток коллектора100 mAМакс.
Коэффициент усиления hFE2202mA
Мощность200 mWМакс.
| Питание | |
|---|---|
| 集射极击穿电压(Vceo) | 45V |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| 直流电流增益(hFE) | 220@2mA,5V |
| Другое | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |