BCX41

NPN кремниевый транзистор для АЧХ и коммутации, VCEO 125В, IC 800мА, корпус SOT23, сертифицирован AEC Q101, соответствует RoHS.Проверено по даташиту

Подобрать аналог Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 8. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

ТипNPN

Напряжение коллектор-эмиттер125 VMin 125 V (IC = 10 mA，IB = 0)

Ток коллектора800 mAМакс.

Коэффициент усиления hFE25 ~ 63Min 25 (IC = 100 μA，VCE = 1 V)，Min 63 (IC = 100 mA，VCE = 1 V)，Min 40 (IC = 200 mA，VCE = 1 V)

Мощность330 mWМакс. · 330 mW (TS ≤ 79 °C)

Параметры, сверенные с даташитом

Пунктов: 22

Параметр	Значение и условия измерения	Источник
Тип	NPN Silicon AF and Switching Transistor
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	Min 125 V (IC = 10 mA, IB = 0)
Ток коллектора	800 mA
Коэффициент усиления по току	Min 25 (IC = 100 µA, VCE = 1 V); Min 63 (IC = 100 mA, VCE = 1 V); Min 40 (IC = 200 mA, VCE = 1 V)
Мощность рассеивания	330 mW (TS ≤ 79 °C)
Корпус	SOT23
Температура перехода	150 °C
Сертификация	AEC Q101
RoHS	Compliant (Pb-free)
Напряжение пробоя коллектор-база	Min 125 V (IC = 100 µA, IE = 0)
Напряжение пробоя эмиттер-база	Min 5 V (IE = 10 µA, IC = 0)
Пиковый ток коллектора	1 A (tp ≤ 10 ms)
Ток базы	100 mA
Пиковый ток базы	200 mA
Температура хранения	-65 ... 150 °C
Тепловое сопротивление переход-точка пайки	≤ 215 K/W
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	Max 0.9 V (IC = 300 mA, IB = 30 mA)
Напряжение насыщения база-эмиттер	Max 1.4 V (IC = 300 mA, IB = 30 mA)
Частота среза	Typ 100 MHz (IC = 20 mA, VCE = 5 V, f = 20 MHz)
Емкость коллектор-база	Typ 12 pF (VCB = 10 V, f = 1 MHz)
Ток отсечки коллектор-база	Max 0.120 µA (VCB = 100 V, IE = 0, TA = 150 °C)
Ток отсечки коллектор-эмиттер	Max 10 µA (VCE = 100 V, TA = 85 °C); Max 75 µA (VCE = 100 V, TA = 125 °C)

Все параметры (11)РазвернутьСвернуть

Питание
IC-最大集电极电流	0.8A
VCEO-CE结击穿电压	125V
VCEO-集射级击穿电压	125V
Характеристики по постоянному и переменному току
fT-变换频率	100MHZ
hFE-最小直流增益	40
Hfe-最小直流增益	25
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1	SOT-23
最大工作温度	150℃
Другое
Pd-功率耗散	0.35W
Pd-最大功率耗散	0.35W
引脚数量1	3

Распиновка и корпус

КорпусSOT23

Вывод	Название	Назначение	Источник
1		База (B)
2		Эмиттер (E)
3		Коллектор (C)

Изображения

Фото · Каталог ChipCross

Документы

DatasheetDatasheet · 1.8 MB · 2026-11-09 DatasheetDatasheet · 526.1 KB · 2026-09-22 Quality & ReliabilityQuality & Reliability · 376.0 KB · 2026-09-22

Центр документации

Данные, сверенные с даташитом, извлечены AI из документации производителя. Нажмите на номер страницы, чтобы открыть оригинал.