PNP биполярный транзистор в пластиковом корпусе, VCEO -60V, IC -1.0A, мощность 500мВт, корпус SOT-89, рабочая температура -55°C до +150°C, без галогенов, соответствует RoHS.Проверено по даташиту
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 5, из них китайских: 1. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
ТипPNP
Напряжение коллектор-эмиттер-60 V
Ток коллектора-1 AМакс.
Коэффициент усиления hFE40 ~ 250Max 250 (VCE=-2.0V，IC=-150mA)，Min 63 (VCE=-2.0V，IC=-5mA)，Min 40 (VCE=-2.0V，IC=-500mA)
Мощность500 mWМакс.
Параметры, сверенные с даташитом
Пунктов: 20| Параметр | Значение и условия измерения | Источник |
|---|---|---|
| Тип | PNP | |
| Напряжение коллектор-эмиттер | -60 V | |
| Ток коллектора | -1.0 A | |
| Коэффициент усиления по току | Min 63, Max 250 (VCE=-2.0V, IC=-150mA); Min 63 (VCE=-2.0V, IC=-5mA); Min 40 (VCE=-2.0V, IC=-500mA) | |
| Мощность рассеивания коллектора | 500 mW | |
| Корпус | SOT-89 |
Все параметры (13)
| Питание | |
|---|---|
| Ic-最大集电极电流 | 1A |
| IC-最大集电极电流 | 1A |
| VCEO-CE结击穿电压 | 60V |
| VCEO-集射级击穿电压 | 60V |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| fT-变换频率 | 125MHZ |
| hFE-最小直流增益 | 100 |
| Hfe-最小直流增益 | 100 |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| 封装类型1 | SOT-89 |
| 最大工作温度 | 150℃ |
| Другое | |
| Pd-功率耗散 | 0.5W |
| Pd-最大功率耗散 | 1W |
| VCE(sat)-集射级饱和压降 | 0.5V |
| 引脚数量1 | 3 |
Распиновка и корпус
КорпусSOT-89
| Вывод | Название | Назначение | Источник |
|---|---|---|---|
| 1 | База | ||
| 2 | Коллектор | ||
| 3 | Эмиттер | ||
| 4 | Коллектор |
Изображения
Документы
Данные, сверенные с даташитом, извлечены AI из документации производителя. Нажмите на номер страницы, чтобы открыть оригинал.