Поиск аналогов электронных компонентов
Nexperia USA Inc.Нидерланды

BSH105,215

Not For New DesignsTransistors - FETs, MOSFETs - SingleTO-236AB

MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 5. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока1.05 A
Сопротивление в открытом состоянии200 mΩМакс. · 600mA
Пороговое напряжение570 mVМакс. · 1mA (Typ)
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.05A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Power Dissipation (Max)417mW (Ta)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackageTO-236AB
Другое
Base Product NumberBSH105
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds152 pF @ 16 V
MfrNexperia USA Inc.
Product StatusNot For New Designs
Rds On (Max) @ Id, Vgs200mOhm @ 600mA, 4.5V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id570mV @ 1mA (Typ)

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.