HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
该双向可控硅模块具有26A的通态电流（It）和600V的断态峰值电压（Vdrm），适用于需要中等功率控制的交流电路。其内部集成单个双向可控硅，可实现对交流电的全波控制。50mA的门极触发电流（Igt）确保了器件在配合常用控制信号时的可靠触发。该器件常用于各类交流调压、调光、电机速度调节及固态开关等应用，适用于对体积和可靠性有要求的电力控制场合。【联系：sales@hxymos.com】
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение в закрытом состоянии600 V
Ток отпирания управляющего электрода50 mAМакс.
| Питание | |
|---|---|
| 断态峰值电压(Vdrm) | 600V |
| 通态电流(It) | 26A |
| 门极触发电流(Igt) | 50mA |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| 封装 | TOP-3 |
| Другое | |
| 可控硅类型 | 1个双向可控硅 |