BORN(伯恩半导体)Китай

BZT52B11S

ПроизводитсяSwitching Diodes

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

IZT(mA)	5
P.D.(W)	0.2
VZ (Max.)@IZT (V)	11.22
VZ (Min.)@IZT (V)	10.78
VZ (Nom.)@IZT (V)	11

Документы

DatasheetDatasheet · 1.0 MB · 2026-09-23

Центр документации